2021年10月12日，《21世紀經濟報道》主辦的“2021中國智造業(yè)年會”會上，揭曉了“2021中國智造「金長城」獎”的評選結果。派恩杰半導體(杭州)有限公司(以下簡稱派恩杰半導體)憑借全球領先的SiC功率器件技術喜獲“「金長城」獎-年度最具成長性企業(yè)”殊榮。

派恩杰喜獲“「金長城」獎-年度最具成長性企業(yè)”

　　正如派恩杰半導體總裁黃興先生在本屆中國制造業(yè)年會-半導體產業(yè)的顛覆式創(chuàng)新圓桌討論所分享的那樣，中國在以硅(Si)為代表的第一代半導體材料，與國際企業(yè)的差距最大，到砷化鎵(GaAs)代表的第二代半導體材料已經有突破的跡象，而在以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料方面則有追趕和超車的良機。派恩杰半導體剛好趕上了這一時機，潛心研發(fā)，開發(fā)出了可以與國際企業(yè)一爭高下的高性能SiC功率器件產品。這些產品將應用于服務器及數(shù)據中心電源、新能源汽車、智能電網、5G物聯(lián)網、工業(yè)電機、逆變器等領域，目前已有一些全球一線客戶導入使用。派恩杰半導體表示，將會持續(xù)投入和加強自主研發(fā)能力，不斷帶給客戶先進SiC技術和方案，幫助客戶創(chuàng)新產品、改善產品、提升產品。

（轉載）