2018年2月21日，全球先進半導體技術領導者三星電子和Qualcomm Incorporated(NASDAQ: QCOM)子公司Qualcomm Technologies, Inc.宣布，雙方計劃將長達十年的代工合作關系擴展至EUV光刻制程工藝，包括采用三星7納米LPP(Low Power Plus)EUV制程工藝制造未來的Qualcomm?驍龍?5G移動芯片組。
通過采用7LPP EUV制程工藝，驍龍5G移動芯片組的芯片尺寸將更小，從而為OEM廠商即將推出的產品提供更多可用空間，以支持更大電池或更纖薄設計。工藝改進與更先進芯片設計的結合預計將帶來顯著提升的電池續(xù)航。
去年五月，三星推出其首款采用EUV光刻解決方案的半導體制程工藝7LPP EUV。EUV光刻技術的部署預計將打破摩爾定律的壁壘，為單納米半導體技術的發(fā)展鋪平道路。
相較于其前代10納米FinFET技術，三星的7LPP EUV技術通過更少工藝步驟和更佳良率，不僅極大地降低了工藝復雜性，也帶來了高達40%的面積效率，同時實現10%的性能提升或高達35%的功耗降低。
Qualcomm Technologies, Inc.供應鏈及采購高級副總裁RK Chunduru表示：“我們很高興能夠與三星共同引領5G移動行業(yè)。通過采用7納米 LPP EUV，我們全新一代驍龍5G移動芯片組將充分利用工藝改進和先進的芯片設計，以提高未來終端的用戶體驗。”
三星電子代工業(yè)務銷售及市場執(zhí)行副總裁Charlie Bae表示：“我們很高興擴大與Qualcomm Technologies的代工合作關系，在5G技術中采用我們的EUV制程工藝。此次合作是我們代工業(yè)務的里程碑，表明了對于三星領先制程工藝的信心?！?/FONT>
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