據(jù)外媒報道，碳化硅功率半導體制造商UnitedSiC公司推出九個750V SiC器件，其中導通電阻可低至6mΩ。這些器件為電動汽車的傳動系統(tǒng)提供了優(yōu)勢。

（圖片來源：unitedsic）

       新750V SiC FET系列的額定值為 6、9、11、23、33和44mΩ，并采用TO-247-4L 封裝。18、23、33、44和60mΩ器件也采用更傳統(tǒng)的TO-247-3L封裝。
       該公司表示，該系列已于去年12月推出18和60mΩ750V器件。新擴展產品與這些現(xiàn)有器件相輛相成，為設計人員提供了更多的選擇，實現(xiàn)了更大的設計靈活性，以獲得最佳成本/效率權衡，同時保持充足的設計裕度和電路穩(wěn)健性。
       UnitedSiC的第4代SiC FET是SiC JFET和共同封裝的硅MOSFET的“共源共柵”（cascode）。總的來說，能夠提供寬帶隙技術的全部優(yōu)勢：高速、低損耗和高溫操作，同時保持簡單、穩(wěn)定和強勁的柵極驅動，并具有集成ESD保護。
       這些優(yōu)勢通過品質因數(shù)（FoMs）進行量化，例如導通電阻RDS(on) x A，這是衡量單位晶粒面積的傳導損耗的指標。第四代SiC FET在高和低晶粒溫度下，都達到了據(jù)稱是市場上的最低值。FoM RDS(on) x EOSS/QOSS在硬開關應用中很重要，據(jù)估計是最接近的競爭產品的一半。 FoM RDS(on) x COSS(tr)在軟開關應用中很重要，UnitedSiC聲稱，其器件成本比額定電壓為650V的競爭器件低約30%，而UnitedSiC器件的額定電壓為750V。
       對于硬開關應用，SiC FET的集成體二極管在恢復速度和正向壓降方面，優(yōu)于競爭對手Si MOSFET或 SiC MOSFET技術。第四代技術的其他優(yōu)勢是，使用先進的晶圓減薄技術和銀燒結晶粒連接，降低晶粒與外殼之間的熱阻。這些特性可在要求苛刻的應用中實現(xiàn)最大功率輸出，以實現(xiàn)低晶粒溫升。
       這些設備旨在用于電動汽車中的牽引驅動器、車載和非車載充電器，以及可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正、電信轉換器和AC-DC（或DC-DC）電源轉換中所有階段的單向和雙向電力轉換。
       第四代750V SiC器件的價格不等，如UJ4C075044K3S為4.15美元，UJ4SC075006K4S為23.46美元。

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