USB-C電源套件包(Power Bundle)、第7代1200 V IGBT和二極管以及首款TOLL封裝的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件簡化高能效電源方案的設計
2022年4月27日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，將在2022年5月10日至12日于德國紐倫堡舉行的PCIM Europe上推出一系列新的電源方案。
安森美在PCIM Europe的展臺將呈現(xiàn)最新技術的現(xiàn)場演示，展示這些技術如何賦能開發(fā)領先市場的電動車、儲能、智能電源等方案。其中的精彩演示包括一輛與慕尼黑工業(yè)大學(Technical University Munich) 聯(lián)合開發(fā)的學生電動方程式(Student Formula E)汽車和一輛電動摩托車。此外，安森美還將展出來自Kempower公司的一個電動車充電器實物，它采用了安森美的SiC二極管，以及一個帶有ecoSpin的倉庫機器人。
安森美首席營銷官Felicity Carson說：“我們很高興回到PCIM Europe實體展會，展示能解決能源基礎設施、通信和電動車最新挑戰(zhàn)的眾多產(chǎn)品。我們與合作伙伴和客戶合作，進一步展示我們技術的全新實踐應用。”
安森美將發(fā)布新的power bundle，針對100 W以上的USB-C 供電（USB-C PD）充電，采用NCP1623、NCP1345和NCP4307，這些器件都是非常成功的臨界導通模式功率因素校正(PFC)、高頻準諧振(QR)和同步整流器控制器系列的一部分。新的USB-C控制器的發(fā)布將進一步擴展USB-C產(chǎn)品系列。
安森美是碳化硅(SiC)領域的領軍企業(yè)之一，將推出多種新型SiC功率開關器件，性能都比前幾代產(chǎn)品更強。首款TOLL封裝的650 V 、33 mΩ SiC MOSFET NTBL045N065SC1，比D2PAK 7lead占位更小，空間更小，封裝電感更低。首款TOLL封裝的650 V 、33 mΩ SiC MOSFET提供開爾文(Kelvin)源配置，以改善開關損耗和門極噪聲，并保證達到濕度敏感度等級1 (MSL1)。SiC器件與上一代硅器件相比具有明顯的優(yōu)勢，包括高頻下的能效更高、電磁干擾(EMI)更低、能承受更高的工作溫度和更高的可靠性。安森美是唯一具有SiC方案垂直整合能力的供應商，包括SiC晶錠生長、襯底、外延、器件制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝方案。
最后，安森美還將首次展示第7代IGBT和二極管。最新的1200 V FS7 IGBT比上一代的正向偏置電壓下降了20%，大大提高了電機控制應用的能效和功率密度。公司還將推出快速版FS7 IGBT，用于太陽能、不間斷電源(UPS)和儲能等中高開關頻率的應用，開關損耗減少50%。FS7產(chǎn)品組合進一步擴展， 包括750 V和1200 V的VE-TracTM Direct符合車規(guī)方案的推出，具有出色的魯棒性、軟開關和高能效，以滿足當今的電動車主驅(qū)需求。
安森美的技術人員將在PCIM Europe發(fā)表多個主題演講，包括海報會議上的SiC技術、行業(yè)論壇上的電力電子技術、電動車論壇和參展商論壇。
關于安森美（onsemi）
安森美（onsemi, 納斯達克股票代號：ON）正推動顛覆性創(chuàng)新，幫助建設更美好的未來。公司專注于汽車和工業(yè)終端市場，正加速推動大趨勢的變革，包括汽車功能電子化和安全、可持續(xù)能源網(wǎng)、工業(yè)自動化以及5G和云基礎設施等。安森美以高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合，創(chuàng)造智能電源和感知技術，解決世界上最復雜的挑戰(zhàn)，并引領創(chuàng)建一個更安全、更清潔、更智能的世界。
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